فاطمه مسلمی؛ معصومه نعمتی
چکیده
طیف عبوری و چرخش فارادی از ساختار بلور مگنتوفوتونی با آرایش متقارن (AB)m InAs (BA)m با استفاده از روش ماتریس انتقال 4×4 بررسی شده‌است. لایه‌های B, A مواد دی‌الکتریک معمولی و InAs نیم‌رسانای ناهمسانگرد به‌عنوان لایه‌ی نقص عمل می‌کند. در گاف باند فوتونی ساختار، دو مدنقص با چرخش فارادی در همان ناحیه‌ی فرکانسی مدهای نقص ظاهر می‌شوند. در ...
بیشتر
طیف عبوری و چرخش فارادی از ساختار بلور مگنتوفوتونی با آرایش متقارن (AB)m InAs (BA)m با استفاده از روش ماتریس انتقال 4×4 بررسی شده‌است. لایه‌های B, A مواد دی‌الکتریک معمولی و InAs نیم‌رسانای ناهمسانگرد به‌عنوان لایه‌ی نقص عمل می‌کند. در گاف باند فوتونی ساختار، دو مدنقص با چرخش فارادی در همان ناحیه‌ی فرکانسی مدهای نقص ظاهر می‌شوند. در این مقاله نشان داده شده که با تغییر پارامترهای ساختاری تعداد تناوب و ضخامت لایه‌ی نقص امکان طراحی ساختار برای تقویت چرخش فارادی با شدت عبور نسبتا بالا وجود دارد. اثر پارامترهای خارجی، شدت میدان مغناطیسی و زاویهی موج تابشی در تقویت مقادیر چرخش فارادی و شدت عبوری مطالعه و بهینه شدهاند. بیشترین چرخش فارادی با شدت عبور نسبتا بالا حاصل در این کار به مقدار o23/44- در زاویهی تابشی o20 بدست آمد. نتایج نشان میدهند مکان فرکانسی مدهای نقص در طیف عبوری و چرخش فارادی وابسته به راستای میدان تابشی و ضخامت لایه‌ی نقص و لی مستقل از تغییرات میدان مغناطیسی و تعداد تناوب ساختارند.